ອີງຕາມການລາຍງານຂອງ ໜັງ ສືພິມ United Daily ຂອງໄຕ້ຫວັນ, ທ່ານ Li Peiying, ຜູ້ຈັດການທົ່ວໄປຂອງສາຂາອາຊີໃຕ້ໄດ້ປະກາດໃນວັນທີ 10 ວ່າລາວໄດ້ ສຳ ເລັດການຄົ້ນຄວ້າແລະພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີ DRAM ຂະ ໜາດ 10 nanometri ຢ່າງເປັນອິດສະຫຼະແລະຈະເລີ່ມທົດລອງຜະລິດໃນເຄິ່ງທີ່ສອງຂອງປີນີ້.
ມີລາຍງານວ່າຊິບ ໜ່ວຍ ຄວາມ ຈຳ DRAM ທົ່ວໂລກຖືກຄວບຄຸມໂດຍ Samsung, SK Hynix, ແລະ Micron. ສ່ວນແບ່ງຂອງພວກເຂົາແມ່ນຫຼາຍກວ່າ 95%. ເຫດຜົນທີ່ ສຳ ຄັນແມ່ນວ່າສິດທິບັດເຕັກໂນໂລຢີທັງສາມປະເພດນີ້ຖືເປັນຂີດ ໝາຍ ທີ່ສູງຫຼາຍ. ມັນເປັນເລື່ອງຍາກ ສຳ ລັບບໍລິສັດອື່ນທີ່ຈະ ທຳ ລາຍມັນ. .
ປະຈຸບັນສາຂາອາຊີໃຕ້ສຸມໃສ່ເຕັກໂນໂລຢີ 20nm, ແລະແຫຼ່ງເຕັກໂນໂລຢີແມ່ນ Micron. ດ້ວຍການ ນຳ ເອົາຂະບວນການ 10 ນາໂນແມັດເຂົ້າໄປໃນເຕັກໂນໂລຢີເອກະລາດ, ມັນ ໝາຍ ຄວາມວ່າມັນຈະບໍ່ອີງໃສ່ການອະນຸຍາດຂອງ Micron ໃນອະນາຄົດອີກຕໍ່ໄປ, ແລະແຕ່ລະຜະລິດຕະພັນແມ່ນພັດທະນາໂດຍບໍລິສັດເອງ. ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.
Li Peiying ກ່າວວ່າ Nanyake ໄດ້ປະສົບຜົນ ສຳ ເລັດໃນການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີການຜະລິດ ໜ່ວຍ ຄວາມ ຈຳ ໃໝ່ ສຳ ລັບ 10nm DRAM, ເຊິ່ງໄດ້ຊ່ວຍໃຫ້ການຫົດຕົວແບບຍືນຍົງຂອງຜະລິດຕະພັນ DRAM ສຳ ລັບຢ່າງ ໜ້ອຍ ສາມຍຸກ. ຜະລິດຕະພັນຊັ້ນ ນຳ 10nm ລຸ້ນ ທຳ ອິດ, 8Gb DDR4, LPDDR4 ແລະ DDR5, ຈະຖືກສ້າງຂຶ້ນໃນເຕັກໂນໂລຍີຂະບວນການຜະລິດແລະເວທີເຕັກໂນໂລຢີຜະລິດຕະພັນທີ່ເປັນເອກະລາດ, ແລະຈະເຂົ້າສູ່ການທົດລອງຜະລິດຕະພັນພາຍຫລັງເຄິ່ງປີ 2020.
ເຕັກໂນໂລຍີຂະບວນການ 10 ນາໂນດລຸ້ນທີສອງໄດ້ເລີ່ມຄົ້ນຄວ້າແລະພັດທະນາ, ແລະຄາດວ່າການຜະລິດທົດລອງຄາດວ່າຈະໄດ້ຮັບການ ນຳ ສະ ເໜີ ໃນປີ 2022. ເຕັກໂນໂລຍີຂະບວນການ 10 ນາໂນດລຸ້ນທີ 3 ຈະຖືກພັດທະນາໃນອະນາຄົດ. ທ່ານກ່າວເນັ້ນວ່າຫລັງຈາກເຂົ້າສູ່ຂັ້ນຕອນ 10 nanometer, Nanya ຈະສຸມໃສ່ເຕັກໂນໂລຢີທີ່ພັດທະນາຕົນເອງ, ຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການອອກໃບອະນຸຍາດແລະເພີ່ມປະສິດທິພາບຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.
ໂດຍສອດຄ່ອງກັບການພັດທະນາຂະບວນການ 10 ນາໂນແມັດ, ການໃຊ້ຈ່າຍເງິນທຶນຂອງເມືອງນາຢາຈະສູງກວ່າ 5,5 ຕື້ຢວນໃນປີກາຍນີ້. ທ່ານ Li Peiying ກ່າວວ່ານອກ ເໜືອ ຈາກການປັບປຸງຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ການພັດທະນາເອກະລາດທີ່ປະສົບຜົນ ສຳ ເລັດຂອງ Nanya ຂອງເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການ 10 nanometer ຈະຊ່ວຍໃຫ້ເຂົ້າໃຈໂອກາດການພັດທະນາແລະຄວາມກ້າວ ໜ້າ ທາງດ້ານເຕັກໂນໂລຢີໄປສູ່ຜະລິດຕະພັນ ໃໝ່ ທີ່ມີຄວາມ ໜາ ແໜ້ນ ສູງ.